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IGBT管的使用注意事項
IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導(dǎo)致?lián)p壞的危險.此外，在柵極發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過 這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞在應(yīng)用中，有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結(jié)構(gòu)，對于靜電就要十分注意 因此，請注意下面幾點(diǎn)：
(1)在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅(qū)動端子部分當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸;
(2)在用導(dǎo)電材料連接IGBT管的驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
(3)盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時，應(yīng)十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT 管間涂抹導(dǎo)熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT管發(fā)熱，從而發(fā)生故障，因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT管工作。
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
可測試IGBT參數(shù)包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、
GFS、rCE等全直流參數(shù)，所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測試精度，大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測試精度。
主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測試選項
BR3500測試系統(tǒng)是一項高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測試系統(tǒng)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測試能力?？烧鎸?shí)準(zhǔn)確測試達(dá)十九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
一、可測試種類
1.二極管 Diode
2.穩(wěn)壓(齊納)二極管 Zener
3.晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
4.可控硅整流器(普通晶閘管) SCR
5.雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC
6.MOS場效應(yīng)管 Power MOSFET(N-溝/P-溝)
7.結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET (N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型)
8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR(正電壓/負(fù)電壓，固定/可變)
9.絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(NPN型/PNP型)
10.光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)
11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12.光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
13.達(dá)林頓陣列
14.固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP
15.硅觸發(fā)開關(guān) STS
16.繼電器 RELAY(A、B、C型)
17.金屬氧化物壓變電阻 MOV
18.壓變電阻 VARISTO
19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC
二、技術(shù)參數(shù)及可實(shí)現(xiàn)目標(biāo)
主極電壓：1000V 通過內(nèi)部設(shè)置可擴(kuò)展到：2000V
主極電流：50A 加選件可擴(kuò)展到：400A/500A/1000A/1250A
控制極電壓：20V 加大電流臺選件可擴(kuò)展到：80V
控制極電流：10A 加大電流臺選件可擴(kuò)展到：40A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：100pA 加小電流臺選件可擴(kuò)展到：1pA(文章來源：北京德爾西曼www.520xhm.cn)